分析员
我们在此前报告论证了持续多年的存储超级周期，基于AI驱动的行业供需失衡。本篇报告我们将聚焦个股精选。各大存储厂商基本面差异显著，并非所有供应商均同等受益。下文阐释我们为何当前推荐SK海力士和美光科技作为首选标的，并将三星电子与长鑫科技列入观察名单的核心逻辑。
CIO摘要
- SK海力士（000660.KS / SKHY）是我们存储板块的首选标的，兼具HBM技术领先优势和最纯粹的AI内存需求敞口。核心风险：来自三星电子等企业的竞争加剧。
- 美光科技（MU）为我们另一首选标的，同样充分受益于存储超级周期，叠加美国本土唯一主流DRAM 厂商的独特优势。核心风险：其HBM项目及美国大规模扩产计划的执行挑战。
- 尽管行业基本面强劲，但我们对海力士与美光的评级均为“投资机会”（原称“交易性买入”），而非核心推荐。这反映出我们在权衡两家公司的各自风险后对其持中等信念（非高信念）。
三星电子（005930.KS）与长鑫科技（688825.CH）现阶段暂不推荐。三星电子是DRAM产能龙头，但其综合集团架构会阶段性地稀释存储敞口。长鑫科技则受限于体量偏小、技术代差、HBM营收占比几乎为零，同时估值也显著偏高。
在展开个股分析前，我们先通过一系列表格来对比各大存储厂商的产品结构、盈利能力与增长指标，为个股选择提供背景参考。请注意，美光的数据已调整至最接近的自然年度，以便于横向对比。
核心观点
HBM：AI驱动下存储超级周期的核心。高带宽内存（HBM）是专为AI算力负载设计的下一代内存技术。随着AI模型的规模持续扩大、复杂度提升，主要瓶颈不再单纯来自算力（例如英伟达、博通芯片），而是处理器附加内存的容量与带宽。市场预期显示，HBM比特需求年复合增速约50%（2026-2029年），远高于整体DRAM需求14-22%的增速，而且HBM具备长期更低的周期性。
高耗产能型HBM加剧整体内存供给紧缺，推升行业利润。HBM需要多颗DRAM裸芯片（通常8-16颗）垂直堆叠，不仅技术门槛高，还会消耗巨量存储产能：生产HBM耗用的晶圆产能约为传统DRAM的3-4倍。事实上，各大厂商正持续将产能转向HBM（逻辑详见下文），造成传统存储芯片也供给严重紧缺、价格上行。尽管表面上传统存储仍是当前利润主力，但其实HBM才是最终盈利驱动力 —— 一方面直接贡献高毛利，另一方面凭借巨大的晶圆消耗间接抬升整体盈利（见表2、表4及表5）。
HBM具备强大护城河，全球仅三家厂商具备量产能力。HBM并非简单的“先进DRAM”。HBM整合前沿芯片设计、先进封装、热管理与客户认证体系，属于半导体领域技术门槛最高的产品之一。多重技术壁垒形成稳固护城河，HBM赛道竞争格局高度集中，目前仅三星、海力士和美光三家厂商能量产。中国的长鑫科技虽为潜在竞争者，但受技术代差与美国出口管制约束，距离大规模产出具备竞争力的HBM仍有较长时间。
HBM：稀缺的高确定性增长来源。受多裸片堆叠与3D封装工艺复杂度制约，当前HBM良率偏低，盈利能力受限，现阶段HBM利润率甚至会低于DRAM平均水平。但三大存储龙头仍优先布局HBM，核心原因在于其增长空间更大（详见前文）、收入可见度更高且利润率具备上行空间（详见下文）。HBM产能大都通过与核心客户签订的长期供货协议（LTA）提前锁定（最长锁定期5年），同时配套更稳定的定价机制。这种高可见度在DRAM历史上十分罕见，推动厂商将HBM作为高确定性的战略重心。
利润率扩张将打开进一步盈利上行空间。当前HBM利润率低于行业平均水平，这也解释了为何其利润贡献占比较低甚至低于其收入占比（见表1及表2）。但HBM利润率具备上行空间。随着技术逐步成熟，良率有望持续改善，进而推动HBM业务乃至集团利润率实现可持续提升（见表3）。
SK海力士 (000660.KS / SKHY) – 投资机会
投资逻辑
稳固的HBM龙头，具备可持续竞争优势。海力士是行业领先的HBM供应商（市场份额约50%），受益于其领先技术（例如HBM4领跑）、深厚客户关系（如与英伟达的联合设计协议），以及率先实现复杂HBM产品商业化的能力（其HBM良率80%、相关营业利润率78%，均位居行业首位）。华尔街预计海力士在行业竞争加剧的情况下仍能维持其龙头地位。
AI驱动的存储超级周期下最纯粹的敞口。海力士同时拥有行业最高的HBM业务敞口，对AI内存需求爆发具备最强的盈利杠杆。 HBM占其营收的14%、营业利润13%，但贡献未来利润增长88%，以上三个指标均处于行业首位（参见以上表格）。
年初至今表现强势，但估值仍具吸引力。000660.KS当前股价对应3.7倍的2027年预期市盈率，处于其3.3 – 2294倍历史区间的低位附近。受益于强劲的盈利增长（2026E +471%及2027E +34%），海力士估值依然合理，尽管年初至今回报已达+159%（截至10月8日），。此外，随着利润率扩张（详见上文），叠加HBM结构成长属性降低总体周期性，我们认为海力士估值存在抬升空间。
核心风险
存储行业风险已在我们此前报告中阐述并在此重申，包括技术迭代变迁、AI资本开支的潜在放缓，以及传统存储固有的高周期性。
竞争加剧下HBM龙头地位存在失守风险。三星或其他竞争对手的进展快于预期，可能会挤压海力士的HBM市场份额、产品定价与盈利水平。高盛重点提示三星HBM的进展对海力士是核心风险，瑞银则预测海力士HBM市占率将从2026年的48%回落，甚至在2027年被三星超越。不过市场仍预期海力士的良率与利润率将显著高于同业（见表4）。
韩国散户杠杆风险。6-7月股价的剧烈波动凸显韩国股市的杠杆隐患。尽管机构与ETF的去杠杆在8月基本完成，但此后散户再度加杠杆，保证金融资余额回升至33万亿韩元（见附录A）。一旦存储价格走弱或大盘出现回调，偏高的散户杠杆会放大下行风险，或重演2026年中的强制平仓行情。
美国存托凭证（ADR）溢价风险。SK海力士ADR（SKHY）自7月初在纳斯达克上市以来，相对韩国本地股存在显著溢价（溢价区间30%–60%；10月8日溢价40%）。此溢价由多重因素驱动，包括美国资本市场优势、本土股票转换ADR存在额度限制。而我们尚未发现可预测该溢价的可靠模型。因此，即使海力士基本面不变，一旦溢价收敛，其ADR投资回报仍会承压。
估值与目标价
海力士（000660.KS/ SKHY）当前股价对应3.7倍 / 5.0倍远期市盈率，2026E盈利预计增长471%，2027E盈利预计增长34%（详见第6页估值比较表）。
华尔街分析师的平均目标价为每股3,269,411韩元 / 256.2美元，较10月8日收盘价有94.5% / 48.2%的上行空间。
美光科技 (MU) – 投资机会
投资逻辑
同样受益于AI驱动的存储超级周期。美光作为全球第三大HBM供应商（预计市占率23%，仅次于海力士和三星），正在努力缩小其技术与份额差距。美光同样直接受益于AI投资周期带动的HBM需求爆发。如前文所述，三大厂商均有望借此实现营收增速抬升、盈利能见度改善以及利润率潜在扩张（详见上文表格）。
美国半导体回流政策的独特受益标的。作为美国本土唯一主流DRAM厂商，美光具备独特优势，受益于《芯片与科学法案》补贴、本土制造产能扩张以及特朗普的产业回迁政策（详见附录B）。除基本面利好外，其地缘优势有望成为投资者情绪与估值的额外催化剂。
估值具吸引力，与海力士相近。美光当前股价对应6倍2027年预期市盈率，处于其4.1-4500倍历史区间的低位附近。考虑到其盈利的可持续增长、利润率扩张潜力以及可靠的地缘溢价，美光当前市盈率估值不但合理而且有上升空间。
核心风险
存储行业风险已在我们此前报告中阐述并在此重申，包括技术迭代变迁、AI资本开支的潜在放缓，以及传统存储固有的高周期性。
HBM技术与执行风险。美光正在快速推进HBM4量产爬坡（速度约为HBM3的2倍）。但要追上海力士与三星，需要持续迭代更高代际的HBM产品；该项目能否顺利执行是支撑其投资逻辑的关键。
美国本土扩产风险。美光正在美国高歌猛进实行产能扩张，计划在爱达荷州与纽约州合计投入超2,000亿美元。若成本超支、建设延期或产能爬坡慢于预期，将会显著拖累其投资回报率（详见附录B）。
估值与目标价
美光科技（MU）当前股价对应6倍远期市盈率；2026年（截至2026年9月）盈利爆增了811%，2027E盈预计增长126%（详见第6页估值比较表）。
华尔街分析师的平均目标价为每股1,621.44美元，较10月8日收盘价有56.5%的上行空间。
其他公司（暂不推荐）
三星电子（005930.KS）：产能龙头，但并非纯内存标的。三星在整体DRAM制造产能上处于领先地位（占全球产能40%），HBM市场份额稳居第二（约33%）。尽管当前内存业务贡献超过99%的营业利润，但三星DRAM业务仍需要与其他部门（从晶圆代工和逻辑芯片到智能手机、显示屏及消费电子）争夺资本与资源。集团多元化布局虽具备分散风险的优势，但也会稀释管理层注意力，使三星较难成为存储超级周期下的纯粹标的。所以相比三星，我们现阶段更偏好海力士（HBM技术领先）与美光（具备地缘优势）。无论如何，我们仍将密切跟踪三星产能爬坡进度，尤其是HBM产品，这既是三星股价的潜在催化剂，也是波及海力士的竞争威胁。
长鑫科技（688825.CH）：志存高远，竞争力仍不足。中国厂商长鑫科技正在崛起，已是中国最大及全球第四大DRAM厂商。然而，公司体量依然偏小（2026年全球比特供给占比仅9%）、技术代差明显，HBM业务几乎无实质营收（见表1），以上因素均体现为其低于行业均值的利润率（见表2）。公司也在积极推进HBM研发，但良率问题导致项目经济效益差（据报道良率仅20-30%，海力士则为80%）。尽管如此，发展本土HBM产能对中国具有战略意义，意味着即便短期经济效益不佳，长鑫科技仍会持续投入。技术壁垒对中国厂商依旧极高，涉及EUV光刻瓶颈、芯片堆叠、封装以及TSV等难题，难以快速突破。此外，美国对华出口管制也构成一个重大约束。我们判断，现阶段长鑫科技既不会对行业龙头构成实质性威胁，也不是富含吸引力的投资标的。当前其远期市盈率11.6倍，相较全球同业存在显著估值溢价。
附录A：韩国市场去杠杆最新进展
韩国股市的杠杆资金在存储股交易中扮演重要角色，全球前三大存储厂商中有两家主要在韩国上市。下文将结合数据，对此进行简要更新。
机构去杠杆基本完成。对冲基金持仓敞口和杠杆型ETF管理规模均大幅回落，表明本轮去杠杆的主体阶段已经结束。
但散户投资者再度加杠杆。尽管韩国央行加息后融资成本抬升，保证金融资余额依旧反弹；背后动因大概率是韩国综合指数（KOSPI）自7月低点反弹32%，带动散户情绪回暖。
附录B：美光科技美国本土回流优势的相关信息
美光位于爱达荷州与纽约州的先进DRAM项目获得《芯片与科学法案》最高61.65亿美元直接资金拨付。这笔资金将支撑美光到2030年合计约500亿美元的资本开支承诺。[ptacts.uspto.gov], [micron.com]
美光最初计划在纽约州投入约1,000亿美元、在爱达荷州投入约250亿美元。 [ptacts.uspto.gov]
2025年6月，美光与特朗普政府公布扩大版投资方案，总规模约2,000亿美元，包含1,500亿美元美国本土存储制造投入、500亿美元研发投入。该计划预计将创造约9万个直接与间接就业岗位。[investors.micron.com]
2025年扩产在原有方案基础上追加300亿美元投资，其中包括爱达荷州第二座先进晶圆厂、弗吉尼亚州工厂的现代化改造与扩产，以及美国本土HBM先进封装产能建设。[investors.micron.com]
美光表示，其一系列投资旨在达成40% DRAM产能在美国本土生产的目标。[investors.micron.com], [micron.com]
美光首座爱达荷州晶圆厂计划于2027年投产DRAM。规划中的两座爱达荷州晶圆厂预计将创造逾 1.7万个就业岗位。[investors.micron.com], [micron.com]
美光的弗吉尼亚州扩产项目规模超20亿美元，创造逾3,100个制造业岗位及社区岗位。 [micron.com]
美光目前披露，至2035年其在美国规划投资总额超2,500亿美元，但该最新数据超出《芯片与科学法案》所支持的原有承诺范围。
我们在此前报告论证了持续多年的存储超级周期，基于AI驱动的行业供需失衡。本篇报告我们将聚焦个股精选。各大存储厂商基本面差异显著，并非所有供应商均同等受益。下文阐释我们为何当前推荐SK海力士和美光科技作为首选标的，并将三星电子与长鑫科技列入观察名单的核心逻辑。
CIO摘要
- SK海力士（000660.KS / SKHY）是我们存储板块的首选标的，兼具HBM技术领先优势和最纯粹的AI内存需求敞口。核心风险：来自三星电子等企业的竞争加剧。
- 美光科技（MU）为我们另一首选标的，同样充分受益于存储超级周期，叠加美国本土唯一主流DRAM 厂商的独特优势。核心风险：其HBM项目及美国大规模扩产计划的执行挑战。
- 尽管行业基本面强劲，但我们对海力士与美光的评级均为“投资机会”（原称“交易性买入”），而非核心推荐。这反映出我们在权衡两家公司的各自风险后对其持中等信念（非高信念）。
三星电子（005930.KS）与长鑫科技（688825.CH）现阶段暂不推荐。三星电子是DRAM产能龙头，但其综合集团架构会阶段性地稀释存储敞口。长鑫科技则受限于体量偏小、技术代差、HBM营收占比几乎为零，同时估值也显著偏高。
在展开个股分析前，我们先通过一系列表格来对比各大存储厂商的产品结构、盈利能力与增长指标，为个股选择提供背景参考。请注意，美光的数据已调整至最接近的自然年度，以便于横向对比。
核心观点
HBM：AI驱动下存储超级周期的核心。高带宽内存（HBM）是专为AI算力负载设计的下一代内存技术。随着AI模型的规模持续扩大、复杂度提升，主要瓶颈不再单纯来自算力（例如英伟达、博通芯片），而是处理器附加内存的容量与带宽。市场预期显示，HBM比特需求年复合增速约50%（2026-2029年），远高于整体DRAM需求14-22%的增速，而且HBM具备长期更低的周期性。
高耗产能型HBM加剧整体内存供给紧缺，推升行业利润。HBM需要多颗DRAM裸芯片（通常8-16颗）垂直堆叠，不仅技术门槛高，还会消耗巨量存储产能：生产HBM耗用的晶圆产能约为传统DRAM的3-4倍。事实上，各大厂商正持续将产能转向HBM（逻辑详见下文），造成传统存储芯片也供给严重紧缺、价格上行。尽管表面上传统存储仍是当前利润主力，但其实HBM才是最终盈利驱动力 —— 一方面直接贡献高毛利，另一方面凭借巨大的晶圆消耗间接抬升整体盈利（见表2、表4及表5）。
HBM具备强大护城河，全球仅三家厂商具备量产能力。HBM并非简单的“先进DRAM”。HBM整合前沿芯片设计、先进封装、热管理与客户认证体系，属于半导体领域技术门槛最高的产品之一。多重技术壁垒形成稳固护城河，HBM赛道竞争格局高度集中，目前仅三星、海力士和美光三家厂商能量产。中国的长鑫科技虽为潜在竞争者，但受技术代差与美国出口管制约束，距离大规模产出具备竞争力的HBM仍有较长时间。
HBM：稀缺的高确定性增长来源。受多裸片堆叠与3D封装工艺复杂度制约，当前HBM良率偏低，盈利能力受限，现阶段HBM利润率甚至会低于DRAM平均水平。但三大存储龙头仍优先布局HBM，核心原因在于其增长空间更大（详见前文）、收入可见度更高且利润率具备上行空间（详见下文）。HBM产能大都通过与核心客户签订的长期供货协议（LTA）提前锁定（最长锁定期5年），同时配套更稳定的定价机制。这种高可见度在DRAM历史上十分罕见，推动厂商将HBM作为高确定性的战略重心。
利润率扩张将打开进一步盈利上行空间。当前HBM利润率低于行业平均水平，这也解释了为何其利润贡献占比较低甚至低于其收入占比（见表1及表2）。但HBM利润率具备上行空间。随着技术逐步成熟，良率有望持续改善，进而推动HBM业务乃至集团利润率实现可持续提升（见表3）。
SK海力士 (000660.KS / SKHY) – 投资机会
投资逻辑
稳固的HBM龙头，具备可持续竞争优势。海力士是行业领先的HBM供应商（市场份额约50%），受益于其领先技术（例如HBM4领跑）、深厚客户关系（如与英伟达的联合设计协议），以及率先实现复杂HBM产品商业化的能力（其HBM良率80%、相关营业利润率78%，均位居行业首位）。华尔街预计海力士在行业竞争加剧的情况下仍能维持其龙头地位。
AI驱动的存储超级周期下最纯粹的敞口。海力士同时拥有行业最高的HBM业务敞口，对AI内存需求爆发具备最强的盈利杠杆。 HBM占其营收的14%、营业利润13%，但贡献未来利润增长88%，以上三个指标均处于行业首位（参见以上表格）。
年初至今表现强势，但估值仍具吸引力。000660.KS当前股价对应3.7倍的2027年预期市盈率，处于其3.3 – 2294倍历史区间的低位附近。受益于强劲的盈利增长（2026E +471%及2027E +34%），海力士估值依然合理，尽管年初至今回报已达+159%（截至10月8日），。此外，随着利润率扩张（详见上文），叠加HBM结构成长属性降低总体周期性，我们认为海力士估值存在抬升空间。
核心风险
存储行业风险已在我们此前报告中阐述并在此重申，包括技术迭代变迁、AI资本开支的潜在放缓，以及传统存储固有的高周期性。
竞争加剧下HBM龙头地位存在失守风险。三星或其他竞争对手的进展快于预期，可能会挤压海力士的HBM市场份额、产品定价与盈利水平。高盛重点提示三星HBM的进展对海力士是核心风险，瑞银则预测海力士HBM市占率将从2026年的48%回落，甚至在2027年被三星超越。不过市场仍预期海力士的良率与利润率将显著高于同业（见表4）。
韩国散户杠杆风险。6-7月股价的剧烈波动凸显韩国股市的杠杆隐患。尽管机构与ETF的去杠杆在8月基本完成，但此后散户再度加杠杆，保证金融资余额回升至33万亿韩元（见附录A）。一旦存储价格走弱或大盘出现回调，偏高的散户杠杆会放大下行风险，或重演2026年中的强制平仓行情。
美国存托凭证（ADR）溢价风险。SK海力士ADR（SKHY）自7月初在纳斯达克上市以来，相对韩国本地股存在显著溢价（溢价区间30%–60%；10月8日溢价40%）。此溢价由多重因素驱动，包括美国资本市场优势、本土股票转换ADR存在额度限制。而我们尚未发现可预测该溢价的可靠模型。因此，即使海力士基本面不变，一旦溢价收敛，其ADR投资回报仍会承压。
估值与目标价
海力士（000660.KS/ SKHY）当前股价对应3.7倍 / 5.0倍远期市盈率，2026E盈利预计增长471%，2027E盈利预计增长34%（详见第6页估值比较表）。
华尔街分析师的平均目标价为每股3,269,411韩元 / 256.2美元，较10月8日收盘价有94.5% / 48.2%的上行空间。
美光科技 (MU) – 投资机会
投资逻辑
同样受益于AI驱动的存储超级周期。美光作为全球第三大HBM供应商（预计市占率23%，仅次于海力士和三星），正在努力缩小其技术与份额差距。美光同样直接受益于AI投资周期带动的HBM需求爆发。如前文所述，三大厂商均有望借此实现营收增速抬升、盈利能见度改善以及利润率潜在扩张（详见上文表格）。
美国半导体回流政策的独特受益标的。作为美国本土唯一主流DRAM厂商，美光具备独特优势，受益于《芯片与科学法案》补贴、本土制造产能扩张以及特朗普的产业回迁政策（详见附录B）。除基本面利好外，其地缘优势有望成为投资者情绪与估值的额外催化剂。
估值具吸引力，与海力士相近。美光当前股价对应6倍2027年预期市盈率，处于其4.1-4500倍历史区间的低位附近。考虑到其盈利的可持续增长、利润率扩张潜力以及可靠的地缘溢价，美光当前市盈率估值不但合理而且有上升空间。
核心风险
存储行业风险已在我们此前报告中阐述并在此重申，包括技术迭代变迁、AI资本开支的潜在放缓，以及传统存储固有的高周期性。
HBM技术与执行风险。美光正在快速推进HBM4量产爬坡（速度约为HBM3的2倍）。但要追上海力士与三星，需要持续迭代更高代际的HBM产品；该项目能否顺利执行是支撑其投资逻辑的关键。
美国本土扩产风险。美光正在美国高歌猛进实行产能扩张，计划在爱达荷州与纽约州合计投入超2,000亿美元。若成本超支、建设延期或产能爬坡慢于预期，将会显著拖累其投资回报率（详见附录B）。
估值与目标价
美光科技（MU）当前股价对应6倍远期市盈率；2026年（截至2026年9月）盈利爆增了811%，2027E盈预计增长126%（详见第6页估值比较表）。
华尔街分析师的平均目标价为每股1,621.44美元，较10月8日收盘价有56.5%的上行空间。
其他公司（暂不推荐）
三星电子（005930.KS）：产能龙头，但并非纯内存标的。三星在整体DRAM制造产能上处于领先地位（占全球产能40%），HBM市场份额稳居第二（约33%）。尽管当前内存业务贡献超过99%的营业利润，但三星DRAM业务仍需要与其他部门（从晶圆代工和逻辑芯片到智能手机、显示屏及消费电子）争夺资本与资源。集团多元化布局虽具备分散风险的优势，但也会稀释管理层注意力，使三星较难成为存储超级周期下的纯粹标的。所以相比三星，我们现阶段更偏好海力士（HBM技术领先）与美光（具备地缘优势）。无论如何，我们仍将密切跟踪三星产能爬坡进度，尤其是HBM产品，这既是三星股价的潜在催化剂，也是波及海力士的竞争威胁。
长鑫科技（688825.CH）：志存高远，竞争力仍不足。中国厂商长鑫科技正在崛起，已是中国最大及全球第四大DRAM厂商。然而，公司体量依然偏小（2026年全球比特供给占比仅9%）、技术代差明显，HBM业务几乎无实质营收（见表1），以上因素均体现为其低于行业均值的利润率（见表2）。公司也在积极推进HBM研发，但良率问题导致项目经济效益差（据报道良率仅20-30%，海力士则为80%）。尽管如此，发展本土HBM产能对中国具有战略意义，意味着即便短期经济效益不佳，长鑫科技仍会持续投入。技术壁垒对中国厂商依旧极高，涉及EUV光刻瓶颈、芯片堆叠、封装以及TSV等难题，难以快速突破。此外，美国对华出口管制也构成一个重大约束。我们判断，现阶段长鑫科技既不会对行业龙头构成实质性威胁，也不是富含吸引力的投资标的。当前其远期市盈率11.6倍，相较全球同业存在显著估值溢价。
附录A：韩国市场去杠杆最新进展
韩国股市的杠杆资金在存储股交易中扮演重要角色，全球前三大存储厂商中有两家主要在韩国上市。下文将结合数据，对此进行简要更新。
机构去杠杆基本完成。对冲基金持仓敞口和杠杆型ETF管理规模均大幅回落，表明本轮去杠杆的主体阶段已经结束。
但散户投资者再度加杠杆。尽管韩国央行加息后融资成本抬升，保证金融资余额依旧反弹；背后动因大概率是韩国综合指数（KOSPI）自7月低点反弹32%，带动散户情绪回暖。
附录B：美光科技美国本土回流优势的相关信息
美光位于爱达荷州与纽约州的先进DRAM项目获得《芯片与科学法案》最高61.65亿美元直接资金拨付。这笔资金将支撑美光到2030年合计约500亿美元的资本开支承诺。[ptacts.uspto.gov], [micron.com]
美光最初计划在纽约州投入约1,000亿美元、在爱达荷州投入约250亿美元。 [ptacts.uspto.gov]
2025年6月，美光与特朗普政府公布扩大版投资方案，总规模约2,000亿美元，包含1,500亿美元美国本土存储制造投入、500亿美元研发投入。该计划预计将创造约9万个直接与间接就业岗位。[investors.micron.com]
2025年扩产在原有方案基础上追加300亿美元投资，其中包括爱达荷州第二座先进晶圆厂、弗吉尼亚州工厂的现代化改造与扩产，以及美国本土HBM先进封装产能建设。[investors.micron.com]
美光表示，其一系列投资旨在达成40% DRAM产能在美国本土生产的目标。[investors.micron.com], [micron.com]
美光首座爱达荷州晶圆厂计划于2027年投产DRAM。规划中的两座爱达荷州晶圆厂预计将创造逾 1.7万个就业岗位。[investors.micron.com], [micron.com]
美光的弗吉尼亚州扩产项目规模超20亿美元，创造逾3,100个制造业岗位及社区岗位。 [micron.com]
美光目前披露，至2035年其在美国规划投资总额超2,500亿美元，但该最新数据超出《芯片与科学法案》所支持的原有承诺范围。
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Disclosures and disclaimers
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